| 題目： | 「2019年度版半導体技術の概要と動向」 |
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| 講師： | 中谷隆之先生（群馬大学協力研究員／東京電機大学非常勤講師） |
| 日時： | 2020年1月21日（火）12:40-14:10 |
| 場所： | 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）総合研究棟502号室 |
| 概要： |
本講演前半では、半導体製造プロセスの概要について解説します。後半では 半導体技術動向について、微細化動向、DRAM,NAND技術動向および実装技術動向に ついて概観します。 内容 1)半導体技術概要 ・ムーアの法則による高集積化と微細化 ・CMOS,DRAM,NANDとは 2)半導体プロセスの概要 ・前工程と後工程プロセス ・LSI設計は言語設計 ・シリコンウェハ製造 ・前工程プロセスの概要 トランジスタ工程と配線プロセス ・後工程プロセスの概要 ウェハプローブ試験、ダイシング、パッケージプロセス 3)微細化技術動向 ・微細化トレンド スケーリング則と寸法定義 ・微細化トランジスタ構造（プレーナ構造からFinFETへ） ・微細化ロードマップ ・最先端Logic,SoC微細化にはEUV露光技術がKey ・DRAMは微細化限界へ ・NAND大容量化は3D NAND技術でブレークスルー ・先端パッケージ（実装）技術は3D化へ 3Dパッケージ技術動向 4)まとめ ・More than Moore多様化する半導体技術 |