| 題目： | 「半導体技術の概要と動向」 |
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| 講師： | 中谷隆之氏 |
| （群馬大学） | |
| 日時： | 2017年10月24日（火） 16:00〜17:30 |
| 場所： | 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）３号館509号室(E大教室) |
| 概要： | 半導体はムーアの法則で技術進化してきました。 この高集積化の技術動向の歴史と概要を解説します。 またチップ内3次元化技術（FinFET技術や3D NAND技術） およびパッケージ内3次元化技術の最近動向を紹介します。 １）高集積化技術動向 ・MPU、DRAM､NANDの高集積化推移 ２）微細化技術動向 ・ITRS2.0 国際半導体技術ロードマップによる微細化動向（ITRSは2016年で終焉） ・ITRSにおける寸法定義 ・スケーリング則 ・微細化に伴う高性能化技術 ・3D FinFET技術 ３） チップ内3DNAND技術 ４）ポストNAND/DRAMと3D Xpointメモリ ５）パッケージ内3次元実装技術 パッケージ内3次元実装技術概要 チップ積層ワイヤボンディング実装、PoP,TSV、FOWLP(Fan Out Wafer Level Package) |