| 題目： | 「SRAM技術の基本（前半）」 |
|---|---|
| 講師： | 佐藤陽一氏（明星大学） |
| 日時： | 2018年5月15日（火）12:40-14:10 |
| 場所： | 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）３号館509号室 |
| 概要： | 下記内容の前半部分をお話しいたします。 １．半導体メモリとは？ メモリの種類と概要 ２．SRAMの概要 種類、面積、速度、消費電力、基本構成、メモリセル、レイアウト、プロセス ３．SRAMのメモリセル メモリセルの動作と基本特性 ４．SRAMのセンスアンプ センスアンプの種類と動作 ５．SRAMの基本回路 同期、非同期回路方式 ６．SRAMのレイアウト構成 組込みSRAMの構成 ７．SRAMの開発状況 SRAMの微細化による影響（誤り訂正回路を含む） ８．その他メモリの概要 EEPROM、相変化メモリ等 |