| 題目： | 「半導体デバイスモデリング技術」 |
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| 講師： | 岡部裕志郎先生（群馬大学 知的財産コーディネータ） |
| 日時： | 7月3日（火）14:20-17:30 |
| 場所： | 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）総合研究棟５０６号室 |
| 概要： | 集積回路をコンピュータ上で設計する回路シミュレーションでは、その結果が実物に一致 する 高いシミュレーション精度が必要とされます。 その精度はシミュレーションに使われる半 導体デバイスモデルに依存します。 本講義は回路シミュレーションに使われる代表的な半導体デバイスのモデルの基礎を理解し ます。 前半ではシミュレーション、モデルといった基礎用語から始め、ダイオード、バイポーラ トランジスタ といった各半導体デバイスごとに特性とモデルについて解説します。 後半では MOS トランジスタ、抵抗、容量、１/ｆノイズ、コーナー、統計モデルについての概要を理解します。 本講義の対象は大学院学生以上と考えています。 前半（14：20−15：50） §１．回路設計のために §２．概要 回路シミュレーション、ＳＰＩＣＥ、モデル、ＣＭＣ §３．ＳＰＩＣＥモデルとは 物理現象の数式化 §４．各素子のモデル１ ４−１．ダイオード ４−２．バイポーラトランジスタ 後半（16：00−17：30） §５．各素子のモデル２ ５−１．MOS トランジスタ ５−２．抵抗Ｒ ５−３．容量Ｃ §６．1／ｆノイズ デバイス自体からのノイズ §７．特性テスト コーナーモデル、統計モデルとミスマッチ §８．注意点 |