題目: | 「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの基本特性」 |
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講師: | 松田順一 先生 (群馬大学客員教授) |
日時: | 2020年6月23日(火)14:20-17:30 |
インターネット配信。 受講希望者は事務局(kuwana.anna[at]gunma-u.ac.jp)に6月22日(月)正午までにご連絡ください。 ZoomのURLをお送りします。 |
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概要: |
(1)パワーデバイスの種類と分類 (2)ワイドギャップ半導体の基本特性 (3)ワイドギャップ半導体の各パワーデバイス特性 ・ショットキーダイオード(4H-SiC、GaN) ・PiNダイオード(4H-SiC) ・パワーMOSFET(4H-SiC) ・IGBT(4H-SiC) ・GaN HEMT この講演は、群馬大学大学院での「集積回路設計技術」を兼ねています。 講義・講演資料 https://kobaweb.ei.st.gunma-u.ac.jp/lecture/lecture.html |