| 題目： |
半導体デバイス技術
(1) バイポーラ・トランジスタ特性入門
(2) 高信頼性60-100V用n-LDMOSトランジスタ |
| 講師： |
松田順一 先生 （群馬大学客員教授） |
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| 日時： |
2021年06月22日（火）14:20-17:30 |
場所： |
インターネット配信。
聴講を希望される方はこちらにご入力ください。ZoomのURLをお送りします。【終了しました】 |
| 概要： |
- （１）「バイポーラ・トランジスタ特性入門」 資料
- I ダイオードの特性
- 1. ビルトイン電位
- 2. 階段接合
- 3. ダイオードの基本式
- 4. 電流・電圧特性
- 5. 拡散容量
- II バイポーラ・トランジスタの特性
- 1. NPNバイポーラ・トランジスタ構造と基本的なダイオード理論の修正
- 2. 理想的な電流・電圧特性
- 3. 典型的なNPNバイポーラ・トランジスタの特性
- 4. NPNバイポーラ・トランジスタの等価回路
- 5. NPNバイポーラ・トランジスタのブレークダウン電圧
- （２）「高信頼性６０-１００ V 用n-ＬＤＭＯＳトランジスタ」 資料
- 1. n-ＬＤＭＯＳトランジスタの用途と車載品への展開
- 2. 従来（基本）n-ＬＤＭＯＳトランジスタの問題点
- 3. 高信頼性 ６０ー１００ Ｖ 用n-ＬＤＭＯＳトランジスタ
- 基本特性（静特性、スイッチング損失、Drain Current Expansion、ホットキャリア耐性）
- プロセス変動に対する特性ばらつきと最適化
- 4. まとめ
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