| 題目： | 「バイポーラトランジスタ特性入門」 「接地フィールドプレートデュアルRESURF n-LDMOSトランジスタのスイッチング特性」 |
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| 講師： | 松田順一 先生 （群馬大学客員教授） |
| 日時： | 2022年6月21日（火）14:20-17:30 |
| インターネット配信。 |
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| 概要： |
（１）「バイポーラトランジスタ特性入門」 14:20-16:20 Ⅰ ダイオードの特性 ・ビルトイン電位 ・階段接合 ・ダイオードの基本式 基本式（電流密度と擬フェルミ電位）、ダイオード内の擬フェルミ電位の位置変化、 少数キャリア密度と接合電圧との関係 ・電流・電圧特性 連続の式、電流・電圧特性（均一ドーピングのダイオード）、Ｎ＋/Ｐダイオードの順・逆方向特性、 広いベースと狭いベースのＮ＋/Ｐダイオード、ダイオードのリーク電流の温度依存性、 少数キャリアの基本特性（移動度、ライフタイム、拡散長） ・拡散容量 Ⅱ バイポーラトランジスタの特性 ・ＮＰＮバイポーラトランジスタ構造と基本的なダイオード理論の修正 断面構造、印加電圧とエネルギー・バンド、基本的なダイオード理論の修正（準中性領域の電界の影響、高ドーピングの影響、 不均一エネルギー・バンドギャップの影響） ・理想的な電流・電圧特性 コレクタ電流、ベース電流、電流利得、理想的な IC-VCE 特性 ・典型的なＮＰＮバイポーラトランジスタの特性 エミッタとベースの直列抵抗、Early電圧、ベース－コレクタ接合のアバランシェ現象、 高電流領域でのコレクタ電流の低下（ベース伝導度変調効果、ベース・ワイド二ング効果）、 低電流領域での理想ベース電流のずれ ・NPNバイポーラトランジスタの等価回路 DC等価回路、AC等価回路、小信号等価回路 ・NPNバイポーラトランジスタのブレークダウン電圧 （２）「接地フィールドプレートデュアルRESURF n-LDMOSトランジスタのスイッチング特性」 16:30-17:30 ・n-LDMOSトランジスタの用途と要求特性 ・従来（基本）n-LDMOSトランジスタの問題点 ・40 V 接地フィールドプレートデュアルRESURF n-LDMOSトランジスタ特性 デバイス構造、ID-VDS特性、ホットキャリア耐性（電界プロファイル）、スイッチング特性解析 ・100 V 接地2ステップフィールドプレートデュアルRESURF n-LDMOSトランジスタ特性 デバイス構造、ID-VDS特性、ホットキャリア耐性（電界プロファイル）、スイッチング特性解析 ・まとめ |
| 資料： |
バイポーラトランジスタ特性入門 接地フィールドプレートデュアルRESURF n-LDMOSトランジスタのスイッチング特性 |