| 題目： | 「半導体デバイスモデリング技術」 |
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| 講師： | 岡部裕志郎先生（群馬大学 非常勤講師） |
| 日時： | 2021年6月29日（火）14:20-17:30 |
| インターネット配信。 |
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| 概要： |
集積回路をコンピュータ上で設計する回路シミュレーションでは、 そのシミュレーション結果が実物にほぼ一致する、高い精度が必要とされます。 その精度はシミュレーションに使われる半導体デバイスモデルに依存します。 本講義では、回路シミュレーションに使われる代表的な半導体デバイスのモデルの基礎を説明します。 前半ではシミュレーション、SPICE,モデルといった基礎から始め、 ダイオード、バイポーラトランジスタといった各半導体デバイスの特性とモデルについて解説します。 後半では続いてMOSトランジスタ、抵抗、容量の各デバイスとモデル、次に雑音の１/ｆノイズ、 そして製造工程のばらつきを考慮したコーナー、統計モデルについての概要を説明します。 一応、対象は大学院生以上と考えていましたが、 数式を用いずにイメージでどなたにも理解して頂ける様に努力しました。 前半（14：20−15：50） §１．回路設計のために §２．概要 回路シミュレーション、ＳＰＩＣＥ、モデル、ＣＭＣ §３．ＳＰＩＣＥモデルとは 物理現象の数式化 §４．各素子のモデル１ ４−１．ダイオード ４−２．バイポーラトランジスタ 後半（16：00−17：30） §５．各素子のモデル２ ５−１．MOSトランジスタ ５−２．抵抗Ｒ ５−３．容量Ｃ §６．1／ｆノイズ デバイス自体からのノイズ §７．特性テスト コーナーモデル、統計モデルとミスマッチ §８．注意点 資料 前半 後半 |